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從沙子到成品，一個(gè)芯片要經(jīng)歷三次被切割。
第一次切割是將硅錠切成硅片。
目前常規(guī)的切割方法主要有內(nèi)圓切割和多線切割。內(nèi)圓切割是利用內(nèi)圓刃口邊切割硅錠，但由于刀片高度旋轉(zhuǎn)會(huì)產(chǎn)生軸向震動(dòng)，刀片與硅片的摩擦力不斷增加，可能會(huì)在硅錠上殘留一些切痕甚至細(xì)小的裂隙。這樣一來(lái)，切割結(jié)束后可能就發(fā)生硅片崩片甚至飛邊的現(xiàn)象。
多線切割技術(shù)是當(dāng)前進(jìn)行硅片切割的主流技術(shù)。在多線切割機(jī)中，導(dǎo)輪的動(dòng)力來(lái)源于發(fā)電機(jī)，其旋轉(zhuǎn)可以有效的保障鋼絲切割線的高速運(yùn)行。切割線在導(dǎo)輪的帶動(dòng)下速度可達(dá)10m/s-20m/s。金剛線切割技術(shù)是未來(lái)相當(dāng)長(zhǎng)一段時(shí)間內(nèi)主流的硅片切割技術(shù)。
第二次是將千錘百煉的晶圓片劃切成極小的晶粒。
晶圓劃片目前主要采用金剛石劃片刀進(jìn)行。早期，6英寸以下的晶圓大部分都使用了劃片再掰開(kāi)的切割法，現(xiàn)在則進(jìn)行一次性切割，確保晶圓不受損壞。同時(shí)也有先切割、后減薄的切割方法。不管是哪種切割工藝，都需要用刀劃片機(jī)和金剛石刀片。
除此以外，還有激光切割法，適用于晶圓厚度為100μm以下的晶圓。
第三次則是初級(jí)封裝后進(jìn)行分切，留待后用，或再進(jìn)行多級(jí)封裝，或進(jìn)行入產(chǎn)品應(yīng)用流程。到此，芯片才能算作一個(gè)成品，能真正發(fā)揮他奇妙的作用。